記憶體大缺引發長存、長鑫「龍頭之爭」 專利戰一觸即發
- 韓青秀／台北
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全球記憶體持續嚴重缺貨，尤其人工智慧（AI）及雲端應用，推升各界對於記憶體貨源需求急迫，DRAM與NAND Flash身價高漲，中國兩大指標性記憶體廠長鑫存儲、長江存儲，將打破各佔半壁江山的格局。
長江存儲跨入LPDDR5 DRAM將於2026年底試產，長鑫存儲也要從DRAM搶進NAND Flash領域，業界推測，兩家中系記憶體廠最快將於2028年正面交鋒，而長江存儲透過Xtacking技術已推進至270層，這場中國記憶體龍頭之爭，將以「專利攻防」成為關鍵戰局。
供應鏈人士指出，長江存儲以獨家混合鍵合架構Xtacking技術起家，並突破美方卡關半導體設備進口的限制，已完成到294層3D NAND產品開發，包括三星電子（Samsung Electronics）、鎧俠（Kioxia）等NAND原廠，將混合鍵合（Hybrid Bonding）作為未來高堆疊層數的必經發展路線。
甚至三星2025年更與長江存儲達成「專利許可協議」，從第10代V-NAND（V10）開始，三星將採用長江存儲的專利技術進行生產，儼然確立了混合鍵合在400層以上NAND堆疊的重要性。
記憶體業進入超級週期，長江存儲三期計畫2026年底投產，初期規劃約2.5萬片DRAM產能，可望2027年完成產能爬坡，初期瞄準LPDDR5，展開第一步量產目標，且將預留擴產空間，預計後續兩座新廠持續擴大DRAM量產規模，也把高頻寬記憶體（HBM）與3D DRAM研發列入未來藍圖。
長鑫也不甘示弱，近期傳出將在北京設置NAND研發生產線。
市場傳出，長鑫從長江存儲內部進行挖角，原本在中國官方推動國產化供應鏈的既定政策下，兩家中系記憶體廠是「兄弟登山、各自努力」，在技術和產能各自發展下，聯手投資中國半導體設備供應鏈，進而推動市場需求擴大。
然而隨著兩家中系記憶體勢力分別快速壯大，競爭格局愈形明確，轉而走向各自建立配合生態體系，未來供應鏈恐怕也不得不選邊站隊。
業界認為，目前尚不清楚長鑫生產線將於何時投入營運，估計最快2028~2029年量產，但重點是長鑫將如何繞過長江存儲的技術和專利，畢竟美國依然禁止美系企業向中國輸出可製造128層及以上3D NAND的設備，若無法在3D NAND堆疊技術取得自有突破，長期發展終將面臨限制。
近年來長江存儲Xtacking專利戰火已延燒到美國，直接狀告美光（Micron），為了捍衛核心技術，即使是「親兄弟也得明算帳」。何況長江存儲、長鑫存儲各自分據武漢及合肥，未來長鑫3D NAND邁入量產出貨，恐怕第一關就得經過專利檢視與攻防。
不過業界也認為，如今，日、韓、美系等記憶體原廠大幅推升價格，而產能又無法滿足客戶需求時，反而迫使許多系統廠或終端品牌客戶轉向中國，尋求替代貨源。
這等同為長存和長鑫打入國際大廠供應鏈之路，提供名正言順的助攻與鋪路，讓中國廠商有機會打入以往難以接觸的客戶供應鏈。
雖然現下記憶體需求正熱，各家原廠不願低價銷售，但品牌隨時能夠過中國供應商作為談判籌碼，以及第二供應來源，未來一旦市場反轉，中系記憶體廠已站穩產業地位，透過龐大產能與低價策略，屆時將能快速利用價格優勢，力壓競爭對手。
責任編輯：何致中
