SK海力士CDO:2027年1月確定HBF最終規格 3D DRAM成AI時代關鍵SK海力士(SK Hynix)開發長(CDO)安炫日前於南韓半導體展(SEDEX 2026)發表主題演說,強調隨著AI推論需求快速成長,僅提高高頻寬記憶體(HBM)性能,已不足以解決系統瓶頸。公司正加快高頻寬快閃記憶體(HBF)開發,並將3D
GAA、背面供電到3D DRAM 應材揭材料工程成先進製程關鍵AI晶片的電晶體數量與配線層數持續攀升,材料與製程整合的難度同步提高。應用材料(Applied Materials)半導體產品事業群總裁Prabu Raja在全球投資會議上,說明GAA、背面供電、DRAM與高頻寬記憶體(HBM)等領域的技術挑戰與設備商機。Prabu