每日椽真：台灣新創生態系指數陡升 | 華為麒麟重生、小米接力陪跑 | ASML執行長同日背書兩種說法

早安。

NVIDIA的Vera Rubin蓄勢待發，即使尚未放量，伺服器ODM廠8月營運依舊亮眼，業者表示，不論H系列或GB系列需求依舊強勁，雖然Vera Rubin放量時間將落在2027年，然對下半年伺服器出貨，依舊看旺，不過長短料現象也越來越明顯，9月仍將延續。

AI持續推升半導體產能擴張，104人力銀行發布《2026半導體業人才報告書》，數據顯示，2026年半導體每月徵才4.7萬人，年增幅逾2成。

ASML與台積電宣布發起合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩。不過稍後英特爾與三星也都有同一宣布，三家的立場有何差異？請見文末編輯手記。

以下是今日5則科技供應鏈重點新聞摘要：

台灣再向國際人才招手 外國人年薪600萬1年即獲永居

內政部日前公布最新戶口統計指出，2026年7月台灣的新生兒約7,900人，戶籍遷入者約650人，但7月死亡人數1.7萬人。台灣人口自然減少情況嚴峻，和2025年7月相比又再減少10萬人。行政院發佈最新的施政報告表示，政府會友善移民環境，強化留用外國人才深耕台灣，並放寬跨國技術人力引進留任，緩解產業的勞力和人才缺口。

天使投資方案規模擴大10倍 台灣新創生態系指數陡升

國發會指出，2028年政府的新創投資金額目標是每年新台幣1,500億元。因此有必要聯合經濟部、文化部、數發部、環境部及國科會，合作推動中小企業、製造業、服務業、文化創意、AI、綠色成長及智慧機器人等主題式投資方案。協助企業創新轉型，帶動產業升級。

觀察：箝制反催中國造芯熱　華為麒麟重生、小米接力陪跑

2020年9月，華為手機業務曾迎來一記重擊。

當時美國收緊對華為的晶片管制，台積電在9月中旬停止向華為出貨；當時華為消費者業務執行長余承東更直言，9月15日後，台積電將無法再替華為製造手機晶片。麒麟9000因此被視為華為高階手機晶片的一個重要分水嶺。

泰國暫停49處資料中心開發案　強調不是要「關上投資大門」

和世界上許多國家一樣，泰國民眾擔憂資料中心建設帶來的能源與環境問題。日前泰國已宣布成立跨部會的政策委員會，制定資料中心管理框架，讓各部門在決策時能有所依據。

泰國國家經濟和社會發展委員會表示，暫停資料中心建設，就是為了讓政府有時間制定新的規範，預計1個月內就會公布。

中國規劃AI算力5年內擴6倍　加快建置十萬卡以上AI叢集

中國AI算力建設進入加速大規模部署階段。中國工業和信息化部（簡稱工信部）7日發布《資訊通訊產業發展「十五五」規畫》，提出2026~2030年資訊基礎設施累計投資人民幣（下同）3.8兆元，將部署萬卡、十萬卡及以上智算叢集，加快全國算力網建設，同時加強中國本土算力晶片適配度。

由工信部提出的五年計畫中共有26項重點任務，其中「超前建設資訊基礎設施」列首項，未來將打造高效協同的算力設施，建立「樞紐—區域—邊緣」多層次的全國算力基礎設施體系，並依照AI應用場景需求部署算力。

編輯手記：ASML大尺寸光罩倡議是新成立，還是英特爾主導多年？

ASML 9 月 8 日在同一天發出三份聯合新聞稿，分別與台積電、三星電子及英特爾代工宣布 High NA EUV 微影與大尺寸光罩的合作進展。三份稿對這個產業倡議的由來，給出了三種不同的說法，而 ASML 執行長 Christophe Fouquet 在其中兩種說法上都具名背書。

台積電與 ASML 的公告指出，雙方於 9 月 7 日、SPIE 光罩技術與極紫外光微影會議前夕，在美國蒙特雷成立這項推動 12 吋光罩的產業倡議，目標 2031 年建立試產線、2033 年讓 12 吋 High NA 系統進入先進製程量產。

三星在同日宣布加入該倡議；而英特爾代工的公告則稱，該公司三年多來一直主導大尺寸光罩格式的推動工作，與 ASML、光罩廠、自動化供應商、EDA 夥伴、材料供應商及晶片製造商合作建立所需標準與基礎設施。Fouquet 在英特爾稿中肯定英特爾在 High NA 的「先驅角色」，以及其「長期支持 6x12 吋光罩演進」。

三份公告未說明這項倡議究竟是本週新成立，或是英特爾主導多年後在此時擴大並正式化。

三家在 High NA 的實際進度差距明顯。英特爾代工是唯一揭露量產實績者，稱累計已處理逾 100 萬片晶圓，涵蓋機台驗證、研發與 Intel 18A 部分層次的量產，用於代號 Panther Lake 的 Intel Core Ultra Series 3 處理器，套刻精度、產出率與稼動率均符合預期。

台積電表示將於 2030 年在先進製程導入 High NA 量產，初期仍使用 6 吋光罩，未揭露目前使用狀況。

三星則稱將於 2028 年在 DRAM 量產導入 High NA，為業界首見，是三份稿中唯一的記憶體應用，時點也早於台積電的邏輯製程兩年。

在 12 吋光罩到位之前，如何在現行 6 吋格式下使用 High NA，是三家立場分歧最明顯之處。英特爾主張客戶不必等待，可透過在 6 吋光罩內配置佈局，或使用英特爾的拼接（stitching）能力與製程設計套件解決；台積電將 6 吋視為過渡，先用再轉；三星未著墨。ASML 與英特爾將於會中連續發表兩篇論文，討論半場拼接的掃描機與光罩需求，以及拼接的量產化。

光罩格式的用詞亦未統一。英特爾與 Fouquet 在英特爾稿中使用「6x12 吋」，台積電與三星兩份稿則一律稱「12 吋」。三份公告均未說明兩者是否為同一規格。

三份稿的推崇語各自客製，沒有一句共用。Fouquet 在三星稿中稱三星「多年來是 ASML 最重要的創新夥伴之一」，在英特爾稿中肯定其先驅角色，在台積電稿中則對「半導體製造商、光罩供應商與夥伴」給予倡議的初期支持表示欣慰，未個別點名台積電——台積電在該稿中為共同發布方，而非受邀方。

此外，ASML 台灣分公司當日僅就台積電合作案發出完整中文新聞稿，三星與英特爾兩案僅提供英文原稿。

 
責任編輯：陳奭璁