三星跟進ASML 12吋光罩推動 High-NA EUV估2028導入DRAM生產
- 蔡云瑄／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）9月8日宣布攜手ASML，為High-NA EUV進軍先進DRAM量產鋪路，力拚2028年把高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影設備導入先進DRAM製造。同時，三星也宣布加入ASML主導...
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