中國記憶體缺口荒擴大 傳長鑫存儲HBM3E良率不到30%仍投產
- 陳玟靜／綜合報導
中國DRAM龍頭長鑫存儲傳將在良率僅有20~30%的情況下，推進第五代高頻寬記憶體（HBM3E）的生產。分析認為，由於美國出口管制導致中國AI半導體業者難以取得先進記憶體，長鑫存儲決定承受低良率的代價，設法擴大供應。韓媒首爾經濟...
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