長鑫存儲4F² DRAM量產領先三星2年 技術突襲改寫記憶體格局？
- 陳玟靜／綜合報導
長鑫存儲日前宣稱，將於2026年底前量產採用新一代4F²架構的DRAM。有觀點認為，此舉意在彰顯中國半導體技術實力已逼近甚至超越三星電子（Samsung Electroni...
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