三星再擴越南半導體布局 擬砸40億美元建2座DRAM、NAND測試廠 智慧應用 影音
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三星再擴越南半導體布局 擬砸40億美元建2座DRAM、NAND測試廠

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    陳玟靜/綜合報導

三星電子(Samsung Electronics)傳計劃斥資逾40億美元在越南興建2座半導體測試廠,最快有望於2027年第4季啟動首座產線。業界分析,三星此舉除因應AI熱潮帶動的DRAM、NAND Flash需求成長外,也意在分散集中於南韓的記憶體測試與出口據...

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