三星改寫DRAM藍圖 B1b混合鍵合搶先D0a、HBM5同步受惠 智慧應用 影音
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三星改寫DRAM藍圖 B1b混合鍵合搶先D0a、HBM5同步受惠

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    蔡云瑄/綜合報導

三星電子(Samsung Electronics)新一代DRAM策略新變化,原本只是專案性技術的「B1b」晶圓對晶圓(W2W)混合鍵合(Hybrid Bonding),如今正式升格為首款10奈...

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