三星、SK海力士傳2028年量產10奈米以下0a DRAM High-NA EUV同步上陣
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）傳正以2028年量產10奈米以下級第一代（0a）DRAM為目標進行技術開發，並為此採用高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備。據韓媒The ...
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