三星、SK海力士傳2028年量產10奈米以下0a DRAM High-NA EUV同步上陣
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）傳正以2028年量產10奈米以下級第一代（0a）DRAM為目標進行技術開發，並為此採用高數值孔徑極紫外光（...
會員登入
會員服務申請/試用
申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
關鍵字
