中國DRAM追趕再進一步 長鑫存儲成功導入High-k材料
- 蔡云瑄／綜合報導
中國長鑫存儲正把DRAM技術追趕推向材料與電晶體結構層級。產業研究機構TechInsights指出，長鑫存儲已成功將高介電常數（High-k）材料量產應用於最新DRAM產品，觸...
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