AI機櫃MW級功耗挑戰 SiC、GaN和矽基元件材料「各司其職」
- 劉千綾／台北
AI推升高功率、大電壓需求，功率元件朝高效率、高功率密度與高度整合發展。業界表示，前端和機櫃電源轉換將增加碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）功率元件，靠近AI晶片核心仍為矽基MOSFET、DrMOS為主，並朝向模組整合發展，以因應低壓大電流。
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