台積電攜ASML衝12吋光罩 High-NA全幅視野與成本決定主流化
- 陳玉娟／新竹
先進製程持續往2奈米及埃世代推進，極紫外光（EUV）曝光技術也進入High-NA階段。DIGITIMES Research分析，High-NA EUV將數值孔徑（NA）由Low-NA的0.33提高至0.55，單次曝光解析度可由約13奈米推進至8奈米，但景...
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