SK海力士加速1c DRAM轉換 2027年初有望躍升主力製程 智慧應用 影音
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SK海力士加速1c DRAM轉換 2027年初有望躍升主力製程

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    陳玟靜綜合報導

有消息稱,SK海力士(SK Hynix)正快速擴大10奈米級第6代(1c)DRAM的生產比重,預計2027年初將成為主力製程。隨著第七代高頻寬記憶體(HBM4E)將導入1c DRAM作為核心晶片,SK海力士也正加快製程轉換腳步。

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