GMIF2025 | 三星半導體：以全棧儲存創新解鎖AI時代無限潛能

9月25日，第四屆GMIF2025創新峰會在深圳萬麗灣酒店圓滿落幕。本屆峰會以「AI應用，創新賦能」為主題，彙聚全球存儲產業鏈上下游領軍企業、技術專家與產業領袖，共同探索AI驅動下儲存技術的演進路徑與產業機遇。三星電子副總裁 & Memory事業部技術長Kevin Yoon發表題為《智構AI未來：開啟記憶體與存儲新紀元》的主題演講，深度剖析AI時代儲存技術挑戰與突破方向，重磅發布多項前瞻解決方案。

AI邁入智慧體時代  儲存架構迎來範式重構

Kevin Yoon在演講中指出，AI技術正經歷從生成式AI（Generative AI）到智能體AI（Agentic AI），並終將邁向實體AI（Physical AI）的演進歷程，當前產業已正式進入Agentic AI階段。這種具備自主推論與決策能力的智慧體技術，在生成式AI基礎上被要求能夠維持多種狀態，並在不引入明顯延遲的情況下使用工具，推動全球資料量與計算需求呈爆發式成長。

「Agentic AI推論過程中，資料需更長時間留存以獲取最優結果，這直接導致記憶體容量需求激增。」Kevin Yoon強調，資料中心正加速向資料密集型計算方式轉型，在此背景下，存儲技術不再是後台支撐設施，而成為決定AI系統效率與可擴展性的核心環節。傳統儲存架構正面臨頻寬需求指數級攀升、功耗觸及物理上限、延遲控制難度加大等多重挑戰，記憶體層級結構亟須重構以適配新一代智慧基礎設施需求。

記憶體技術雙線突破：三星實現GDDR7量產與CXL生態引領

針對AI伺服器的高頻寬需求，Kevin Yoon在演講中公開了三星在下一代記憶體技術上的突破性進展：產業首款24Gb容量GDDR7產品已實現量產，並與領先GPU合作夥伴達成深度協同。該產品融合尖端製程與優化電路架構，傳輸速率高達42.5Gbps，相比上一代產品能效提升超30%，為AI訓練與圖形渲染提供關鍵支撐。

為了解決DRAM的容量限制，計算快速鏈路（CXL）記憶體擴展器作為一種很有潛力的解決方案正在興起。作為全球首個推出CXL產品的企業，三星自2021年起持續引領技術與生態發展，目前已實現DDR基CXL 2.0產品規模化量產。Kevin Yoon透露，隨著CXL 3.0時代到來，三星正開發支援多伺服器即時記憶體共用的新型設備，計畫於2026年推出相容CXL 3.1與PCIe Gen 6.0的CMM-D解決方案，未來更將實現近記憶體處理引擎等全功能支援，進一步提升資料中心的靈活性與擴展性。

儲存三維創新：性能、密度與散熱的協同進化

在存儲領域，Kevin Yoon圍繞高性能、高密度、熱控制三大核心維度，系統闡述了三星的技術布局與產品路線圖。性能方面，針對PCIe介面代際升級帶來的技術挑戰，三星通過優化NAND與控制器協同設計，即將於2026年初推出PCIe Gen6 SSD產品PM1763。該產品在25W功耗限制下實現翻倍性能提升，能效比提升1.6倍，完美適配GPU密集型AI計算場景。

高密度儲存領域，三星展現了產業領先的技術實力：2025年已推出128TB U.2介面SSD產品，2026至2027年更計畫推出1T厚度的EDSFF形態產品，實現Gen5平台256TB、Gen6平台512TB的超高容量突破。這一系列突破得益於三星先進的32層堆疊封裝技術，結合EDSFF形態的輕薄設計優勢，可在有限空間內實現存儲密度與能效的雙重優化。

針對高性能儲存帶來的散熱挑戰，Kevin Yoon表示三星正從傳統風冷向液冷等直接冷卻技術轉型。通過將E1.S 8TB SSD厚度從15T縮減至9.5T等形態優化，結合冷板與外殼間熱阻最小化設計，確保下一代儲存產品在滿負荷運行時的系統穩定性。

定義新品類：記憶體級儲存開啟低延遲時代

面對AI推理場景中對小資料塊快速瀏覽的需求，三星提出「記憶體級儲存（Memory Class Storage）」這一全新技術品類，旨在突破傳統儲存與計算間的性能鴻溝。該技術以GPU主動直接儲存（GIDS）為典型應用，通過GPU與儲存的直接資料交互，大幅降低系統延遲。

三星正在研發第七代Z-NAND技術，該技術是記憶體級儲存概念的核心載體。這款面向GIDS場景優化的存儲介質，其第三代產品將實現遠超產業標準的輸送量表現，在保持超高性能的同時最大化能效。「記憶體級儲存將重新定義AI推論的回應速度標準，為即時智慧應用提供關鍵支撐。」Kevin Yoon強調。

在演講結尾，Kevin Yoon表示，三星通過記憶體與儲存領域的全棧創新，不僅致力於解決AI時代的資料管理難題，更旨在解鎖AI技術的全部潛能。未來，三星將持續突破技術極限，與全球合作夥伴共建儲存生態，共同開啟AI賦能的智慧未來。

殊榮加身：獲頒「傑出儲存技術引領獎」

第四屆GMIF2025創新峰會除了探討AI時代下儲存技術的演進與生態共建，同時對儲存領域過去一年湧現的傑出企業、創新技術、優秀方案等進行評優並於會上重磅發布評選結果。

作為產業領導者，三星半導體在DRAM與NAND領域持續實現重大技術反覆運算，於會上榮獲「傑出儲存技術引領獎」。

評委會特別指出，面對AI爆發對高頻寬、高能效存儲的迫切需求，三星率先實現HBM、DDR5、LPDDR5X及高層堆疊3D NAND等前瞻技術的規模化量產與應用，極大地加速了大模型訓練、資料中心基礎設施升級及高階智慧終端機創新，為全球客戶提供了堅實的技術底座。

此次獲獎，是對三星半導體通過持續研發投入重塑儲存性能邊界、賦能全球數位化進程的充分肯定。三星半導體表示，將繼續引領儲存技術創新，為產業鏈上下游提供尖端解決方案，推動AI應用廣泛落地。

本次峰會不僅彙聚了全球儲存產業鏈的精英，更通過三星電子副總裁Kevin Yoon的精彩演講，為產業揭示了AI驅動下儲存技術的未來發展方向。從Agentic AI的崛起，到GDDR7和CXL技術的突破，再到高性能、高密度儲存與散熱技術的協同進化，三星在儲存領域的創新成果令人矚目。而「記憶體級儲存」的提出，更是為AI推論場景帶來了全新的解決方案。

榮獲「傑出儲存技術引領獎」的三星半導體，不僅在技術上取得了顯著成就，更通過持續的研發投入，為全球數位化進程提供了堅實的技術支援。未來，三星將繼續攜手全球合作夥伴，共同探索儲存技術的無限可能，開啟AI賦能的智慧未來。