三星衝刺HBM4量產線 瞄準2026年追上SK海力士 智慧應用 影音
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三星衝刺HBM4量產線 瞄準2026年追上SK海力士

  • 范維君綜合報導

三星電子(Samsung Electronics)正加速引進10奈米級第六代1c DRAM設備,打算為2026年初的HBM4量產做準備。由於稍早傳出SK海力士(SK Hynix)已與NVIDIA簽訂HBM4供應合約,此舉顯示三星正積極追趕對手。

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