英特爾最具High NA EUV實務經驗 惟商業化仍存在限制
- 徐畇融／綜合外電
英特爾（Intel）2024年在高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術推進上取得重大進展，已部署兩台ASML Twinscan EXE:5000設備，自主開發光罩（reticle）、光學鄰近修正（OPC）技術，並完成超過3萬片晶圓的曝光測試。
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