SK海力士於OCP 2025峰會展示下一代NAND快閃記憶體產品戰略
- 鄭宇渟／台北
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SK海力士2025年10月27日宣布，於當地時間2025年10月13日至16日在美國加利福尼亞州聖約瑟舉辦的「2025 OCP全球峰會」（以下簡稱「峰會」）上，展示了下一代NAND快閃記憶體產品戰略。
公司表示：「隨著人工智慧推理市場的快速發展，業界對能夠迅速、高效處理海量資料的NAND快閃記憶體產品的需求正大幅攀升。為此，公司將建立『AIN（AI-NAND）Family』產品組合，以專為人工智慧時代進行優化的解決方案產品，全面滿足客戶的多樣化需求。」
在峰會第二天舉行的高管會議上，SK海力士企業級固態硬碟（eSSD）產品開發擔當金千成副社長作為演講嘉賓，介紹了AIN Family產品組合。
AIN Family在性能（Performance）、頻寬（Bandwidth）、容量（Density）三方面分別優化的NAND快閃記憶體解決方案產品，旨在提升資料處理速度，並實現存儲容量最大化。
AIN P（Performance）是一款專為大規模AI推理環境中海量資料的輸入與輸出而打造的高效解決方案。該方案通過最小化AI運算與存儲之間的瓶頸，顯著提升了處理速度與能效。為此，公司正在以全新架構重新設計NAND快閃記憶體與控制器，並計畫於2026年底推出樣品。
與之相反，AIN D（Density）則是一款旨在以低功耗、低成本實現海量資料存儲的高容量解決方案，特別適用於AI資料的存儲。相較于現有基於QLC的TB（太位元組）級的SSD，AIN D可將存儲容量提升至最高PB（拍位元組）級，同時兼顧SSD的高速性能與HDD的經濟性，成為一種中間層存儲產品。
最後，AIN B（Bandwidth）是一款通過堆疊NAND快閃記憶體以擴大頻寬的解決方案產品。該產品採用了公司名為「HBF」的技術。
擁有全球頂尖HBM研發與生產實力的SK海力士，為應對AI推理規模擴大、大型語言模型（LLM）發展導致的存儲容量不足問題，很早便啟動了AIN B的研發工作。其核心在於將高容量、低成本的NAND快閃記憶體與HBM堆疊結構相結合。目前，公司正積極評估多種AIN B應用方案，包括將其與HBM協同配置以補充容量等多種靈活模式。
為擴大AIN B生態系統，SK海力士於14日晚在OCP峰會會場附近的科技中心（The Tech Interactive）與2025年8月簽署HBF標準化合作備忘錄（MOU）的美國閃迪公司，共同舉辦了「HBF之夜（HBF Night）」活動，邀請全球科技大廠公司的企業代表出席。
該活動以專題討論會的形式進行，吸引了來自南韓及海外的多位教授參與，並彙聚了數十位業界重要架構師和技術人員。在當日的活動中，SK海力士提出了一項旨在加速NAND快閃記憶體產品創新的業界合作倡議。
SK海力士開發總管（Chief Development Officer；CDO）安炫社長表示：「本次OCP全球峰會和HBF之夜活動，充分展現了SK海力士作為『全球面向AI的記憶體解決方案供應商（AI Memory Solution Provider）』在以AI為主導的快速變革浪潮中所取得的成就與未來願景。」他同時強調：「公司將通過繼續與客戶及各類合作夥伴攜手合作，致力成為下一代NAND快閃記憶體領域中面向AI記憶體市場的核心引領者。」
