SK海力士HBM4E邏輯裸晶傳評估3奈米 性能躍進與產能風險兩難 智慧應用 影音
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SK海力士HBM4E邏輯裸晶傳評估3奈米 性能躍進與產能風險兩難

  • 陳玟靜綜合報導

日前有消息傳出,SK海力士(SK Hynix)正積極評估,是否將台積電3奈米製程應用於第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯裸晶(logic die),盼能藉此一舉翻轉三星電子(Samsung Electronics)已搶先建立的性能優勢。

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