磷化銦基板喊缺！ NVIDIA「光銅並行」再點亮化合物半導體
- 劉千綾／台北
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AI語音摘要
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受惠光通訊產品需求爆發，全新光電、英特磊、穩懋、環宇和宏捷科等台系化合物半導體廠營運動能看增，供應鏈人士表示，磷化銦（InP）材料面臨基板短缺，AI資料中心需求強勁，亦加劇市場供不應求的狀況，成為AI追求高速傳輸必須克服的供應瓶頸。
NVIDIA於GTC 2026首度定調，隨著AI算力需求持續攀升，未來資料中心互連將同時需要更多銅纜、光通訊與共同光學封裝（CPO）產能，也就是明確拋出了「光銅並行」說法。業界表示，目前市場主流的光模組技術為800G，未來也將朝向1.6T更高規格發展。
產業人士指出，隨著晶片運算速度提高，AI資料中心發展最大的瓶頸是傳輸速度，磷化銦（InP）除了電子流動速度快，更適合高頻應用，耐熱特性也能在高溫環境下展現較好的穩定度和調控效率，幾乎成為唯一的材料選擇。
不過，現在既有舊資料中心汰換需求，新建的AI資料中心投資規模也擴大，帶動光通訊元件的需求增加很多，原廠產能無法立即跟上，加上InP基板短缺問題未全面解決，市場仍處於供不應求的狀態。
化合物半導體廠商表示，全世界最大的InP基板供應商是日本Sumitomo、以及生產基地在中國的美國AXT，德國Freiberger也有供應，另也有法國和日本供應商在產量上有突破，但由於InP生產機台要可以抗3倍的大氣壓力，日本規定生產相關產品的驗證時間需18個月，因此供給端的產能紓解，仍須一段時間。
英特磊董事長高永中日前則表示，受到中國出口管制影響，2025年下半遇到基板短缺問題，InP磊晶比例稍微下滑，公司已採取由部分客戶提供基板材料，截至2025年第4季客戶提供基板材料佔比低於20%，2026年可能超過30%。
光模組主要由發射和接收端組成，英特磊表示，InP 200G PIN接收元件將為2026年成長主力，並開發200G面射型雷射（VCSEL）磊晶片，以及發展量子點雷射磊晶片，目前光通訊產品佔比51.8%，已高於電子產品。
環宇在接收和發射端皆有布局，2026年將量產200G PD和CW Laser產品，其中70mW CW Laser則已完成認證，準備開始量產，大客戶的200G PD則預計第2季進入量產。
穩懋先前在法說會上表示，PD、CW DFB和EML等產品，已進入驗證階段，因驗證時間差異，接收端有機會在2026年貢獻營收。
責任編輯：何致中
