英飛凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列 提供超低導通電阻和新型封裝

CoolSiC MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創新的頂部散熱Q-DPAK封裝，該封裝可提供極佳的熱性能與可靠性。英飛凌

全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業電源應用提供超高系統效率和功率密度。該系列現提供Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RDS(on))值60 mΩ。

此次擴展加入的產品涵蓋多種應用，例如汽車領域的車載充電器和高低壓DCDC轉換器，以及工業應用中的伺服器和電信開關電源（SMPS）和電動汽車充電基礎設施等。

其4 mΩ超低導通電阻可支援對靜態開關性能有特殊要求的應用，例如eFuse、高壓電池隔離開關、固態斷路器和固態繼電器等。憑藉這一領先的性能，設計人員能夠開發出更高效、更精簡且更可靠的系統，以滿足各類嚴苛的要求。

CoolSiC MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創新的頂部散熱Q-DPAK封裝，該封裝可提供極佳的熱性能與可靠性。該封裝專為輕鬆應對高功率應用而開發，非常適合想要突破功率密度和效率極限的設計人員。

該技術還具有出色的 (RDS(on)) x QOSS 和出色的 (RDS(on)) x Qfr，可有效降低硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗，尤其是在硬開關使用者案例中具有出色的效率。

此外，CoolSiC MOSFET 750 V G2兼具高閾值電壓 VGS(th)（25°C情況下典型值為4.5 V）和超低 QGD/QGS 比值，增強了其對寄生導通（PTO）的抗擾性。

該系列還具有更強大的閘極驅動能力，支援的靜態閘極電壓和瞬態閘極電壓分別可達 -7 V和 -11 V。這種增強的耐壓性為工程師提供了更大的設計裕度，實現了與市面上其他元件的高度相容。

現已推出CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ的樣品。欲了解更多資訊，敬請瀏覽官網。