西村陶業發表最新應用於半導體多項製程多孔真空吸著夾治具「ANYCHUCK」

日本西村製品—AnyChuck 局部吸附真空吸盤 。西村陶業

西村陶業株式會社（Nishimura Advanced Ceramics）創業於1918年，總部位於日本京都，具備從原料、成形、燒結到精密加工的一貫製造能力，並通過ISO品質體系。西村深耕多領域：半導體與顯示器設備（真空腔體／治具、抗電漿陶瓷零件、散熱絕緣基板、晶圓承載與吸附夾具）、量測／分析儀器、醫療／生命科學、光學與精密機械、電源與高壓絕緣等。

材料涵蓋高純度氧化鋁、氮化鋁、碳化矽與多孔陶瓷，能在高溫、高真空、電漿與高頻環境下長期穩定運作；並以小量客製、快速打樣與穩定量產見長，服務日本與海外半導體供應鏈。

在此基礎上，西村將材料科學與真空工程整合為量產化夾持解決方案，其代表作即為多孔真空吸著夾治具「ANYCHUCK」。

ANYCHUCK主要針對先進製程與精密加工，核心是超微細孔隙結構配合真空分區設計，可實現全面且均一的吸附，並支援「局部吸附」：即一塊吸盤即可依工件形狀／尺寸切換吸附之區域，減少換治具與待機時間，特別適合多品種少量與頻繁換線的產線。

於半導體製程中，ANYCHUCK能可靠固定薄而脆的工件（晶圓、金屬箔、功能膜材、玻璃／陶瓷薄板），降低刮傷與吸著痕；在蝕刻、清洗、薄膜沉積前後的搬運／量測、曝光／對位與檢測平台、背磨／拋光前後固定與卷對卷塗佈／印刷、裁切／疊膜等節點，提供低洩漏、高平面度的穩定夾持，有助維持對焦與圖形精度並提升良率。

ANYCHUCK的材料與結構可高度客製：

(1)多孔材可選氧化鋁、黑色氧化鋁、碳化矽，孔徑/孔隙率/厚度依需求調整。(2)基座材料可為氧化鋁、碳化矽、鋁合金或不鏽鋼。(3)接合提供有機/無機與耐熱規格，西村自家無縫隙接合技術可抑制漏氣與壓痕。
(4)表面可做到半鏡面到鏡面要求，兼顧吸附與潔淨。(5)幾何精度以微米等級平面度／平行度為目標，支援多尺寸晶圓吸附圖樣，並可擴展至公尺等級之工作面積。

實務客製多從工件尺寸／厚度、流量與目標真空壓、允許吸著痕、表面粗糙度、熱／化學環境出發，西村同步建議材料、孔徑分布與真空分區，必要時提供試片驗證，協助在吸附力、表面保護與節拍效率間取得最佳平衡，進而降低換線成本、縮短開發週期、提高良率與穩定性。

憑藉材料科學×製程設計×精密加工的整合能力，西村陶業持續為半導體與精密製造客戶把構想化為可量產方案。歡迎提供應用條件與目標規格，讓我們為您定義下一代吸著治具與陶瓷零件的最佳方案！

目前正值美國半導體展（SEMICON WEST 2025年10月7日至9日於亞利桑那州鳳凰城舉行）期間，歡迎蒞臨#232西村展位。想了解ANYCHUCK進一步的資訊，請參見官網。