從實驗室到晶圓廠：Rigaku製程專用量測技術進軍2025台灣國際半導體設備展

Rigaku Corporation的ONYX 3000與ONYX 3200系統可精準測量凸點高度、凸點下金屬層厚度（UBM）及空隙檢測。Rigaku Corporation

隨著裝置日益微型化、智慧化與互連化，半導體產業在材料、結構與整合層面上面臨日益複雜的挑戰。從前端製程到先進封裝，製造成敗關鍵在於表面之下：隱藏的缺陷、應力與雜質可能導致整體的失敗。

Rigaku Corporation首度亮相於2025台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan 2025），隆重推出全面的製程專用X光與光學量測設備。這些解決方案涵蓋了半導體完整生命週期．從晶體生長到最終封裝，賦予工程師能洞察他人所未見的能力，優化良率並縮短開發週期。

串聯半導體製程的每一步驟

70餘年來，Rigaku Corporation持續推動全球材料分析技術發展。今日，我們提供半導體製造商無與倫比的雜質、缺陷與結構變異量測能力，實現從晶柱到元件的品質穩定性。Rigaku Corporation提供了涵蓋半導體完整價值鏈的全面性X光與光學量測解決方案。從晶體生長、晶圓檢測到先進封裝與光罩分析，我們的儀器保障良率、加速創新，並推動次世代的元件開發。

點擊此處下載電子書。

晶體生長與晶柱取向

量測始於晶體。Rigaku Corporation的FSAS II與FSAS III系統可對矽及化合物半導體晶柱進行高通量的X光取向分析。這些設備能在晶圓切割前驗證對位精度與晶體完整性，對前端製程品質至關重要。

晶體生長與晶圓檢測

晶圓切割後，Rigaku Corporation的XRTmicron Lab與XRTmicron Near Fab平台運用了先進X光掃描分析技術，可檢測直徑達300mm裸晶圓中的位錯、滑移線及其他結構缺陷。這種早期檢測可有效防止瑕疵基板進入生產線。

晶圓製備與污染控制

表面污染是半導體製程中影響良率最關鍵的因素之一。Rigaku Corporation的TXRF 3760、TXRF V310及TXRF 310Fab系統採用全反射X光螢光技術（TXRF）執行超微量元素分析。這些設備專為無塵室與優化線上製程環境，可實現晶圓清洗、運輸及製程設備全流程的污染監測。

光罩與微影技術

隨著微影技術邁向極紫外微影與10奈米以下製程節點，精密檢測變得日益關鍵。Rigaku Corporation提供XTRAIA XD-2000R、XD-3000R、CD-3010G及CD-3200T平台，實現多層光罩檢測、CD量測、應變分布分析與驗證圖案精確度，確保光罩與圖案化晶圓均符合設計規範。

蝕刻製程控制

蝕刻結構必須具備潔淨、一致與可靠性。XTRAIA CD-3200T及XD系列可提供高解析度的CD值、側壁角度與輪廓形狀測量，這些關鍵數據有助於深度蝕刻步驟後的製程調校，尤其適用於3D元件中高長寬比結構的優化。

外延與薄膜特性分析

層級品質是決定元件效能的基礎。Rigaku Corporation的XTRAIA MF-2000、MF-3000、WaferX 310及XD系列具備先進X光繞射（XRD）與X光反射率（XRR）技術，可監測外延層與薄膜狀態。這些儀器能以次奈米級精度測量厚度、成分、應力、應變及缺陷密度。

實驗室與製程支援

無論在大學實驗室或試產線，靈活性與精準度皆為關鍵。Rigaku Corporation的SmartLab系列與 具備多樣功能，可進行晶體結構評估、材料鑑定與製程開發，有效連結研究與生產環節。

先進封裝技術

後端製程中，互連結構完整性決定了系統的效能。Rigaku Corporation的ONYX 3000與ONYX 3200系統可精準測量凸點高度、凸點下金屬層厚度（UBM）及空隙檢測。這些設備支援2.5D與3D封裝方案，涵蓋微晶片、記憶體堆疊及混合式接合技術。