SK海力士引進記憶體業界首台量產型High NA EUV設備

SK海力士2025年9月3日宣布，已將業界首款量產型高數值孔徑極紫外光微影機（High NA EUV）引進南韓利川M16工廠，並舉行了設備入廠慶祝儀式。

當日舉行的設備入廠慶祝儀式上，ASML南韓公司總經理金丙燦社長、SK海力士未來技術研究院長兼技術總管（Chief Technology Officer；CTO）車宣龍副社長、SK海力士製造技術擔當李秉起副社長等領導共同出席，慶祝下一代DRAM生產設備的引進。

SK海力士表示：「在全球半導體市場競爭愈發激烈的背景下，公司已成功構建起快速研發並供應高階產品以滿足客戶需求的堅實基礎。通過與合作夥伴的密切協作，公司將進一步提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩定性。」

半導體製造公司為了提升產品性能和生產效率，微細製程技術的優化顯得尤為重要。電路圖案製作越精密，每塊晶圓上可生產的晶片數量就越多，同時也能有效提高能效與性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10奈米級（1a）DRAM中引入EUV技術以來，持續將EUV應用擴展至先進DRAM製造領域。然而，為了滿足未來半導體市場對超微細化和高集成度的需求，引進超越現有EUV的下一代技術設備必不可少。

此次引進的設備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產型High-NA EUV設備。與現有的EUV設備（NA 0.33）相比，其光學性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進使其能夠製作出精密度高達1.7倍的電路圖案，並將集成度提升2.9倍。

SK海力士計畫通過引進該設備，簡化現有的EUV製程，並加快下一代半導體記憶體的研發進程，從而確保在產品性能和成本方面的競爭力。此舉有望鞏固其在高附加值記憶體市場中的地位，並進一步夯實技術領導力。

ASML南韓公司總經理金丙燦社長表示：「High NA EUV是開啟半導體產業未來的核心技術。我們將與SK海力士緊密合作，積極推動下一代半導體記憶體技術的創新進程。」

SK海力士未來技術研究院長兼技術總管車宣龍副社長表示：「通過此次設備引進，SK海力士為實現公司未來技術發展願景奠定了核心基礎設施。公司將以最先進技術，為快速成長的AI和新一代計算市場開發所需高階記憶體，引領面向AI的記憶體市場。」