三星混合鍵合傳鎖定V10 NAND與HBM4E 力戰台積先進封裝
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳將在南韓京畿道的平澤半導體工廠設置混合鍵合（Hybrid bonding）產線，並計劃2026年內將混合鍵合技術應用於次世代NAND Flash，並逐步擴展至高頻寬記憶體（HBM）與晶圓代工等領域。...
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