SK海力士加速DRAM製程轉換 中國無錫廠完成1a升級
- 蔡云瑄／綜合報導
在美國對中國半導體制裁趨嚴下，SK海力士（SK Hynix）負責生產DRAM的中國無錫廠仍完成升級，製程從第三代10奈米級（1z）升級至第四代10奈米級（1a）。外界預期，SK海力士將採取「南韓生產先進製程、中國生產通用型製程」的雙軌策略。
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