三星專家預告FinFET將導入DRAM 打造3D堆疊新架構
- 陳玟靜／綜合報導
隨著DRAM迎來3D時代，以埋入式通道陣列電晶體（Buried Channel Array Transistor；BCAT）為基礎的DRAM架構，在10奈米以下製程中即將面臨極限。為突破限制，三星電子（Samsung Electronics）技術專家認為，全面...
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