三星HBM4E良率傳破70% HBM5核心1d DRAM開發同步報捷
- 陳玟靜／綜合報導
有消息稱，三星電子（Samsung Electronics）目前開發中的第七代高頻寬記憶體（HBM4E）良率已突破70%，業界認為，其HBM4E的開發已進入最後衝刺階段。據韓媒Financial News引述業界消息，三星半導體暨裝置解...
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