突破AI能耗和頻寬牆 InP等化合物半導體搶軍工和光通訊大餅
- 劉千綾／台北
為滿足高效發光和極高頻傳輸的需求，磷化銦（InP）等化合物半導體躍居要角，電子散射較小、耗損低等材料特性，可突破能耗牆和頻寬牆。台系化合物半導體大廠穩懋董事長陳進財近日出席論壇活動表...
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