英特爾晶圓代工突破19微米極限 打造全球最薄GaN晶片
- 張興民／整理
英特爾（Intel）近日宣布在晶圓代工領域取得重大技術突破，英特爾晶圓代工（Intel Foundry）成功製造出全球最薄的氮化鎵（GaN）晶片，厚度僅19微米（μm）。GaN因優異的電氣性能和耐高溫特性，被廣泛應用於射頻、功率放...
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