IBM攜手科林開發High-NA EUV與新乾式光阻 目標突破1奈米製程
- 李佳翰／綜合報導
美國IBM與半導體製造設備供應商科林研發（Lam Research）宣布啟動為期5年的合作計畫，將共同開發高數值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）技術與新型乾式光阻（Dry Resist）材料，目標將邏輯晶片製程推進至1奈米以下節點。
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