英飛凌推出新款CoolSiC JFET技術 實現更加智慧、快速的固態配電

為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化矽（SiC）產品組合，推出了新款CoolSiC JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。

憑藉強大的短路能力、線性模式下的熱穩定性以及精確的過壓控制，CoolSiC JFET可在各種工業和汽車應用中實現可靠且高效的系統性能，包括固態斷路器（SSCB）、AI資料中心熱插拔模組、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。

英飛凌零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer博士表示：「市場需要更加智慧、快速且可靠的配電系統，英飛凌將透過CoolSiC JFET滿足這一日益成長的需求。這項以應用為導向的功率半導體技術，專為賦能客戶應對這一快速發展領域中的複雜挑戰而設計，為其提供所需的關鍵技術工具。我們自豪地推出具備業界領先的導通電阻（RDS(ON)）的產品，重新定義了碳化矽（SiC）性能標竿，並進一步鞏固了英飛凌在寬能隙半導體技術領域的領導地位。」

第一代CoolSiC JFET擁有最低值為1.5 mΩ（750 VBDss）/2.3 mΩ（1200 VBDss ）的超低RDS（ON），能夠大幅減少導通損耗。溝道經過優化過的SiC JFET在短路和雪崩故障條件下具有高度的可靠性。

該產品採用Q-DPAK頂部散熱封裝，便於並聯，並具備可擴展的電流處理能力，能夠為緊湊型高功率系統提供靈活的布局和整合選項。其在熱應力、超載和故障條件下擁有可預測的開關能力，能夠在連續運行中長期保持極高的可靠性。

為應對嚴苛應用環境中的散熱和機械問題，CoolSiC JFET採用英飛凌先進的.XT互連技術與擴散焊接工藝，從而顯著降低了元件在工業電力系統中常見的脈衝與迴圈負載下的瞬態熱阻抗，並大幅提升了其可靠性。

該元件基於固態功率開關的實際工況測試和驗證，並採用符合行業標準的Q-DPAK封裝，可在工業與汽車應用中實現快速、無縫的設計整合。

新型CoolSiC JFET系列的工程樣品將於2025年推出，並於2026年開始量產，後續還將加入多種封裝和模組。該產品系列將在紐倫堡PCIM Europe 2025的英飛凌展台進行展示。瞭解更多資訊，請瀏覽網頁。

歐洲電力電子系統及元器件展（PCIM Europe）將於2025年5月6~8日在德國紐倫堡舉行。英飛凌將在7號展廳470號展台展示低碳化和數位化產品和解決方案。公司代表還將在PCIM Expo舞台和同期舉辦的PCIM會議上發表多場演講。進一步瞭解英飛凌在PCIM 2025展會上的亮點，請瀏覽官網。