SK海力士成功開發出 全球首款第六代10奈米級DDR5 DRAM

SK海力士成功開發全球首款第六代10奈米級DDR5 DRAM，展現超微細製程技術的突破。SK海力士

●基於世界最高效能的1b製程擴展平台，以最高效的方法開發出1c製程
●以利用新材料、優化EUV製程確保成本競爭力，通過能效改善為資料中心節省30%以上的電費
●計劃在年內完成批量生產準備，2025年開始正式供應
●「將適用于最先進的DRAM產品，為客戶提供差別化的價值」

SK海力士8月29日宣布，全球首次成功開發出採用第六代10奈米級（1c）製程的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10奈米出頭的超微細化存儲製程技術。

SK海力士強調：「隨著10奈米級DRAM技術的世代相傳，微細製程的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高效能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從2025年開始供應產品，引領半導體記憶體市場發展。」

公司以1b DRAM平台擴展的方式開發了1c製程。SK海力士技術團隊認為，由此不僅可以減少製程高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界內以最高效能DRAM受到認可的SK海力士1b製程優勢轉移到1c製程。

而且，SK海力士在部分EUV製程中開發並適用了新材料，也在整個製程中針對EUV適用製程進行了優化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c製程上也進行了設計技術革新，與前一代1b製程相比，其生產率提高了30%以上。

此次1c DDR5 DRAM將主要用於高效能資料中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時代的到來，資料中心的耗電量在繼續增加，如果營運雲服務的全球客戶將SK海力士1c DRAM採用到資料中心，公司預測其電費最高能減少30%。

SK海力士DRAM開發擔當副社長金鍾煥表示：「1c製程技術兼備著最高效能和成本競爭力，公司將其應用於新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進DRAM主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。今後公司也將堅守DRAM市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的AI用記憶體解決方案企業的地位。」

HBM（High Bandwidth Memory）: 垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升資料處理速度的高附加值、高效能產品。HBM DRAM產品以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）-HBM4E（第七代）的順序開發。

LPDDR（低功耗雙倍數據速率）：是一種用於智慧型手機和平板電腦等移動端產品的DRAM規格，以耗電量最小化為目的，具備低電壓運行特徵。規格名稱為LP（Low Power），最新規格為LPDDR第七代（5X），按1-2-3-4-4X-5X-6順序開發。

GDDR（Graphics DDR，圖形用雙倍資料傳輸率記憶體）：由國際半導體器件標準組織（JEDEC）規定的標準圖形用DRAM規格。專用於圖形處理的規格，該系列產品按照3、5、5X、6、7的順序來開發而成，系列越新，運行速度越快，能效也越高。該產品作為廣泛應用於圖形和人工智慧領域的高效能記憶體而受到關注。

關於SK海力士

SK海力士總部位於南韓，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態隨機存取記憶體），NAND Flash（NAND快閃記憶體）和CIS（CMOS圖像感測器）等半導體產品。公司于南韓證券交易所上市，其全球托存股份於盧森堡證券交易所上市。若想瞭解更多，請點擊公司網站。