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聚焦先進封裝與異質整合 思渤解析熱電耦合與高速互連技術

  • 劉中興/台北

聚焦先進封裝與異質整合,思渤解析熱電耦合與高速互連技術。思渤
聚焦先進封裝與異質整合,思渤解析熱電耦合與高速互連技術。思渤

隨著高速通訊應用持續發展,晶片朝向更高效能、高頻寬與高整合度演進,2.5D/3D IC、Chiplet、HBM 等先進封裝與異質整合技術,也逐漸成為突破晶片效能與系統整合限制的重要關鍵。然而,當封裝密度與晶片功耗持續攀升,散熱、電源完整性、訊號完整性及系統可靠度等問題也更加複雜,電、熱與電磁效應彼此交互影響,使工程團隊必須從單一物理分析進一步走向多物理場整合驗證,以更貼近產品實際運作情境。

因應先進封裝所面臨的多物理設計挑戰,思渤科技受工業技術研究院(ITRI)邀請,於「先進封裝與異質整合技術趨勢研討會」擔任講師,分享兩項多物理模擬技術與應用。首先由思渤科技CAE資深技術副理李鈺堂分享「電子散熱與熱電耦合之模擬分析與應用」,聚焦電子系統中電—熱耦合所衍生的溫升、功率變化與元件可靠度問題,並透過Ansys多物理場整合平台建立電磁與熱分析整合流程,搭配自動化技術,加速設計迭代並提升系統散熱效能與可靠度。

接續則由思渤科技CAE資深技術副理陳冠忠分享「先進封裝高速互連之熱電耦合分析與應用:從DCIR到 Thermal-Aware S-Parameter」。針對2.5D/3D IC、Chiplet、HBM與PCIe 6.0/7.0、UCIe等高速互連架構,說明溫度變化如何進一步影響材料特性、導體損耗、阻抗與訊號完整性。並透過Ansys多物理場整合平台,建立高速互連雙向熱電耦合模擬流程,協助工程團隊於設計初期掌握熱效應對電性表現的影響。

面對先進封裝與異質整合技術持續朝向高密度、高功耗與高速互連發展,跨物理場之間的交互影響已成為產品設計不可忽視的重要環節。透過此次研討會,思渤科技將實務模擬經驗與產業應用相互結合,協助工程團隊從設計前期即掌握潛在的電、熱與電磁問題。

未來,思渤科技也將持續深化多物理場模擬與先進封裝相關技術應用,協助產業縮短產品開發週期、降低設計風險,並提升新世代電子系統的效能與可靠度。