Tescan現身SEMICON China 2026展示半導體失效分析整合解決方案

在SEMICON China 2026展覽期間，Tescan將展示針對半導體失效分析（Failure Analysis；FA）的整合解決方案。範疇涵蓋非破壞性檢測、缺陷顯露、樣品製備與分析及結構驗證等關鍵環節，致力於協助客戶提升缺陷定位效率與分析準確性，滿足先進封裝等應用場景日益嚴苛的分析需求。

隨著先進封裝、微機電系統（MEMS）及高整合度半導體元件持續發展，業界對於失效分析流程的速度、精度與跨平台協同能力提出了更高要求。因應此趨勢，Tescan將於本屆展會展示從「缺陷發現」到「歸因驗證」的完整分析工作流，幫助使用者優化實驗室效率並加速問題解析進程。

在缺陷發現階段，Tescan UniTOM HR 2支援mm級的非破壞性檢測，並提供次微米級4D可視化高解析度分析能力。其第二代系統結合「Dynamic to Detail Imaging」技術與 Panthera AI去噪演算法，能在快速掃描過程中進一步提升4D影像品質與缺陷識別效率。

在顯露缺陷環節，Tescan FemtoChisel飛秒雷射加工平台可大幅加快關鍵區域的顯露流程。在特定應用條件下，該平台可將樣品製備速度提升最高5倍，並有助於獲得更潔淨、熱影響區（HAZ）更低的橫截面，減少後續聚焦離子束（FIB）重工的需求，進而提升整體分析效率與結果可靠性。

在樣品製備與分析環節，Tescan的Ga+（鎵離子）聚焦離子束系統已升級至第二代離子鏡筒Orage 2。在特定應用下，可將自動化穿透式電子顯微鏡（TEM）樣品製備效率提升高達40%。

同時，Tescan SOLARIS X 2電漿體聚焦離子束掃描電子顯微鏡（Plasma FIB-SEM）可為先進IC封裝、MEMS及顯示器元件測試提供強力支援，用於TEM樣品製備、截面切割、逐層剝離（Delayering）及原位（In-situ）奈米探針測試，協助實驗室提升作業效率並減少人工干預。

在驗證與關聯分析階段，Tescan透過STEM成像、EDS元素分布圖（Mapping）及4D-STEM分析能力，幫助使用者更完整地理解材料結構與功能之間的關聯。Tescan TENSOR作為高度自動化的分析型STEM平台，針對4D-STEM量測進行了優化，並整合旋進電子繞射（PED）技術，為製程開發與失效分析提供更完整的數據支援。

展覽期間，Tescan將於慕尼黑上海電子生產設備展相關展區（E4-4590），於3月25日至26日舉辦系列現場技術短講。來賓可從SEMICON China的Tescan攤位（T4-4446）前往E4館參與下午場活動。Tescan誠摯邀請半導體製造與分析領域的專業人士蒞臨攤位，與技術團隊面對面交流實際挑戰與分析需求。