三星1c DRAM傳卡關 HBM4開發恐同步延遲
- 范維君／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）內部消息人士透露，原定2025年7月進行的1c DRAM樣品生產測試，由於在重新設計過程中遭遇困難，時程表已推遲至2025年10月，強調目前狀況不明，不確定良率有多高。由於三星計劃從2025年下半，開始量產基於...
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