英特爾18A良率傳優於三星2奈米 但仍苦追台積電N2
- 徐畇融／綜合外電
市場傳出，英特爾（Intel）下一代的Intel 18A（1.8奈米級）製程節點研發進展順利、良率穩定提升，已超越三星電子（Samsung Electronics）2奈米SF2製程節點的良率，但仍落後於台積電的2奈米N2製程節點良率。
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