SK海力士舉行美國印第安那州HBM生產基地奠基儀式

SK海力士在印第安那州舉行基地奠基儀式。SK海力士

SK海力士宣布，於當地時間2026年8月27日在美國印第安那州西拉斐特（West Lafayette）的普渡大學霍洛威體育館（Holloway Gymnasium）舉行了面向AI的記憶體先進封裝生產基地奠基儀式。

當天的奠基儀式，印第安那州州長邁克·布勞恩（Mike Braun）、美國參議員陶德·揚（Todd Young），以及普渡大學校長米奇·丹尼爾斯（Mitch Daniels）均出席。SK集團方面，美洲主管副會長俞柾准、副會長李亨熙、SK海力士CEO郭魯正等高管也一同參加。

美國首個HBM生產基地  投資超40億美元

總投資額將超過40億美元的印第安那晶圓廠，預計於2028年10月完成無塵室（Cleanroom）建設，並於2029年下半啟動新一代HBM量產。未來隨著生產全面步入正軌，該基地有望發展成為擁有1000餘名員工的美國核心HBM生產基地。

特別是印第安那晶圓廠作為SK海力士在美國設立的首個HBM生產據點，其特點在於基於南韓與美國生產體系的緊密連接進行營運。在南韓生產的先進晶圓將運至印第安那，經過先進封裝和測試後，“美國製造”HBM產品將直接供應給美國客戶。

此外，公司還將與生產線同步構建「先進封裝研發測試床（Testbed）」，以便與客戶、大學及商業合作夥伴共同開發下一代封裝技術，並能夠快速推進原型試製與性能驗證。

攜手當地合作夥伴  強化生態系統合作

目前，超過100家涵蓋材料、零組件及設備等領域的合作夥伴正就進駐西拉斐特事宜進行洽談，此舉不僅將為印第安那晶圓廠的穩定營運提供有力支撐，預計還將進一步夯實當地AI生態系統。SK海力士計畫通過晶圓廠的建設與營運，與美國本土企業共同創造約7000個直接及間接就業崗位

與普渡大學簽署研發合作MOU

SK海力士在奠基儀式上與普渡大學簽署了先進封裝領域研發合作的合作備忘錄。

雙方將基於MOU加強研發合作，共同研究包括HBM在內的下一代系統集成及先進封裝技術。此外，SK海力士計劃擴大與美國中西部地區主要高校及研究機構的合作，致力於培養和引進全球頂尖人才。