SK海力士宣布已開始量產321層QLC NAND快閃記憶體
- 鄭宇渟／台北
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SK海力士2025年8月25日宣布，已開發出321層2Tb（太比特，Terabit） QLC NAND快閃記憶體產品，並開始量產。
SK海力士表示：「公司全球率先完成300層以上的QLC NAND快閃記憶體開發，再次突破了技術極限。該產品在現有的NAND快閃記憶體產品中擁有最高的集成度，經過全球客戶公司的驗證後，計畫於2026年上半正式進入AI資料中心市場。」
公司為了最大限度地提高此次產品的成本競爭力，將其開發為與現有產品相比容量翻倍的2Tb產品。
一般來說，NAND快閃記憶體容量越大，單元中儲存的資訊越多，並且記憶體管理越複雜，導致資料處理速度就越慢。為此，公司通過將NAND快閃記憶體內部可獨立運行的平面（Plane）架構從四平面擴展為六平面，從而提升了並行處理能力，緩解了因大容量導致的性能下降問題。
因此，該產品不僅實現了高容量，而且性能也較以往的QLC產品大幅提升。資料傳輸速度提高一倍，寫入性能最多提升56%，讀取性能也提升18%。同時，資料寫入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI資料中心等領域也具備了更強的競爭力。
公司計畫首先在電腦端固態硬碟（PC SSD）上應用321層NAND快閃記憶體，隨後逐步擴展到面向資料中心的企業級固態硬碟（eSSD）和面向智慧手機的嵌入式存儲（UFS）產品。此外，公司也將基於堆疊32個NAND晶片的獨有封裝技術，實現比現有高出一倍的集成度，正式進入面向AI伺服器的超高容量eSSD市場。
SK海力士NAND開發擔當鄭羽杓副社長表示：「此次產品開始量產，大幅強化了高容量存儲產品組合，同時確保了成本競爭力。為了應對迅速成長的AI需求和資料中心市場的高性能要求，我們將作為『全方位面向AI的記憶體供應商（Full Stack AI Memory Provider）』，實現更大的飛躍。」
