三星首秀新3D記憶體架構 zHBM效能較HBM5最高飆8倍
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）首度向全球公開將高頻寬記憶體（HBM）垂直堆疊於AI加速器上的新一代3D記憶體架構。該架構不僅適用於DRAM，也將晶片垂直堆疊技術導入NAND Flash，藉此提升AI時代所需的資料處理效能與能源效率。
會員登入
會員服務申請/試用
申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
關鍵字
