HBM厚度放寬、散熱出新招 三星、SK海力士混合鍵合導入再延？
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）傳對次世代高頻寬記憶體（HBM）是否導入混合鍵合（Hybrid Bonding；HB）技術陷入苦惱。由於降低晶片厚度與提升散熱等優勢的重要性下降，市場預期，混合鍵合導入時間點可能...
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