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SK海力士與閃迪發布HBF首個標準規範

  • 鄭宇渟台北

SK海力士與閃迪共同推動HBF標準化。SK海力士
SK海力士與閃迪共同推動HBF標準化。SK海力士

SK海力士2026年8月4日宣布,公司聯手閃迪(Sandisk)共同發布下一代存儲技術高頻寬快閃記憶體(High Bandwidth Flash;HBF)的首個標準規範。

此次發布正值當地時間2026年8月4日至6日在美國加利福尼亞州聖克拉拉會展中心舉辦的「快閃記憶體峰會(Flash Memory Summit) 2026」(以下簡稱「FMS 2026」)開幕。公司計畫在峰會期間發表主題演講並參與圓桌論壇,介紹HBF作為破解AI時代記憶體瓶頸的關鍵技術。

SK海力士於FMS 2026展示AI存儲與記憶體解決方案。。SK海力士

SK海力士於FMS 2026展示AI存儲與記憶體解決方案。。SK海力士

HBF是介於HBM和固態硬碟之間的新型存儲層級,不僅具備與HBM類似的高速資料傳輸能力,還可基於NAND快閃記憶體大幅提升容量。在AI推理普及、資料處理需求激增的背景下,其高頻寬與可擴展容量特性優勢備受矚目。

此次發布的標準規範,是繼SK海力士2025年8月與閃迪啟動HBF標準化合作,並於2026年2月成立聯盟後,歷時約6個月推出的首項成果。該規範定義了兩種容量配置,分別採用8層和16層NAND晶片堆疊,最高支援512GB容量;並按三個等級(Grade 1~3)設定頻寬標準,資料傳輸能力涵蓋約0.4TB/s至3.0TB/s。

值得關注的是,HBF與處理器之間採用產業標準UCIe互聯,為HBF與GPU、CPU等不同類型的處理器靈活連接奠定了基礎。

此外,該規範涵蓋互聯介面與電氣特性、HBF Die堆疊製程的可靠性與封裝指南,以及資料讀寫軟體使用指南等內容。

該規範由全球最大的開放式資料中心技術合作組織OCP(Open Compute Project)正式發布,成為產業通用開放標準,而非企業私有標準。

以此為契機,公司計畫加快HBF在AI存儲市場的規模化落地,並加速構建生態體系。 目前,HBF聯盟已彙聚Google與Tenstorrent。未來,公司將繼續依託開放合作,不斷擴大生態體系,同時提升技術成熟度與市場接受度。

FMS 2026開幕首日(當地時間2026年8月4日),SK海力士解決方案開發擔當副社長金千成與下一代產品規劃擔當副社長姜郁成聯合發表演講,主題為「代理式人工智慧時代下,基於階層型記憶體的高效AI基礎設施構建(Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Tiered Memory in the Era of Agentic AI)」。

隨著代理式AI快速商業化,待處理資料規模激增,對處理速度和效率的要求也不斷提高。在此背景下,單一記憶體產品已難以滿足需求,因此需要採用「分層記憶體(Tiered Memory)」架構,整合特性互補的多種記憶體並協同優化。兩位元演講者將重點闡述基於分層記憶體的下一代架構的必要性及發展方向。

當地時間2026年8月6日,SK海力士Solution AT擔當副社長林義哲、GoogleDeepMind研究員Xiaoyu Ma、閃迪副社長Rajeev Nagabhirava將展開圓桌討論。這場彙聚全球記憶體、存儲與AI領域三大企業代表的論壇,主題為「借助HBF突破記憶體牆(Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash)」。三位元嘉賓將聚焦AI基礎設施中記憶體結構的變革,重點探討HBF的作用與未來潛力。

與此同時,SK海力士將在FMS 2026設立展臺,展示戰略合作專區、下一代存儲技術及Tech Session等內容。

尤其值得注意的是,本次展會公司將首次公開目前開發進展順利的第十代(V10)375層4D NAND快閃記憶體晶圓和產品。較上一代,其性能功耗比提升2.5倍,特別適用於對性能與能效要求極高的AI基礎設施環境,例如資料中心。公司計畫於2027年初啟動基於此NAND快閃記憶體的高性能、大容量企業級固態硬碟(eSSD)量產,進一步鞏固其在AI時代NAND快閃記憶體市場的領先地位。

此外,公司還將展示面向移動終端、PC、汽車和機器人等多個領域的系列產品,全面呈現SK海力士引領AI時代的記憶體技術優勢以及客戶合作成果。

金千成副社長表示:「AI應用的快速普及,正推動整個資料處理架構迎來重構的關鍵期。通過HBF,公司將突破記憶體與存儲的邊界,助力構建提升系統整體效率的新架構。」