英飛凌12吋氮化鎵生產路線圖取得進展 穩坐GaN領先企業地位

Infineon GaN300 technology。英飛凌

氮化鎵（GaN）半導體需求持續成長，英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）掌握此一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合製造商（IDM）的地位，宣布其在12吋晶圓上的可擴展GaN生產進度正按計畫進行。預計2025年第4季度將向客戶提供首批樣品，英飛凌有望擴大客戶基礎，進一步鞏固其作為GaN領先企業的地位。

作為電源系統領域的領導者，英飛凌專精於三種材料的相關技術：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）。

憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更精簡的設計，從而減少智慧手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。

英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：「英飛凌全面擴大的12吋GaN生產規模將協助我們更快地為客戶提供更高價值的產品，同時推動Si和GaN同類產品的成本接近性。在英飛凌宣布突破12吋GaN晶圓技術近一年後，我們很高興看到我們的時程進展順利，並且業界已經認可英飛凌GaN技術在我們作為IDM戰略優勢下所發揮的重要作用。」

英飛凌的生產策略主要依據IDM模式，即擁有從設計、製造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優勢，如能提供更高品質的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發靈活性。英飛凌致力於為氮化鎵客戶提供支援，並可擴大產能以滿足他們對可靠的GaN電源解決方案的需求。

憑藉其技術領先優勢，英飛凌已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出12吋GaN功率晶圓技術的半導體製造商。與現有的8吋晶圓相比，12吋晶圓上的晶片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使晶片生產效率提高2.3倍。

這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專業團隊，以及業界最廣泛的智慧財產權組合，恰好可以滿足基於GaN的功率半導體在工業、汽車、消費、運算和通訊等領域快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及馬達控制系統等。

市場分析師預測， GaN在功率應用領域的營收將以每年36%的速度成長，到2030年達到約25億美元。英飛凌擁有專有的生產能力和強大的產品組合，2024年發布了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高品質GaN解決方案客戶的首選合作夥伴。