ROHM推出適用高性能AI伺服器電源的全新MOSFET

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對企業級高性能伺服器和AI伺服器電源，推出實現業界頂級導通電阻和超寬SOA範圍的Nch功率MOSFET。

新產品共計3款機型，包括非常適用於企業級高性能伺服器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）電路的「RS7E200BG（30V）」，以及非常適用於AI伺服器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的「RS7N200BH（80V）」和「RS7N160BH（80V）」。

隨著高階資料處理技術的進步和數位化轉型的加速，對資料中心伺服器的需求不斷增加。此外對具有高階計算能力的AI處理伺服器需求亦呈現成長趨勢，未來預計也將持續成長。

由於上述伺服器需要24小時不間斷運轉（持續通電），因此電源單元中使用的多個MOSFET的導通電阻所造成的導通損耗，會對系統整體性能和能效產生極大的影響。特別是在AC-DC轉換電路中，其導通損耗佔比較高，因此需要使用導通電阻低的MOSFET。

另外伺服器亦配備熱插拔功能，可以在通電狀態下更換和維修內部的板卡和儲存裝置等，而在進行更換時，伺服器內部會產生較大的突波電流。因此更大的安全工作區域範圍（寬SOA範圍）對於保護伺服器內部和MOSFET而言至關重要。

因此ROHM全新推出一款DFN5060-8S封裝、實現業界頂級導通電阻和寬SOA範圍的功率MOSFET，與傳統封裝形式相比，封裝內部晶片的可用面積增加，非常有助提高伺服器電源電路的效率和可靠性。

新產品採用了新開發的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封裝，與傳統HSOP8（5.0mm×6.0mm）封裝相比，封裝內的晶片可用面積增加了約65%。因此新產品能夠以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實現業界頂級導通電阻，30V產品「RS7E200BG」的導通電阻僅為0.53mΩ（Typ.），80V產品「RS7N200BH」僅為1.7mΩ（Typ.），非常有助提高伺服器電源電路的效率。

另外透過優化封裝內部的夾片(Clip)形狀設計，提高了散熱性能，同時亦提高了有助確保應用產品可靠性的SOA範圍。尤其是30V產品「RS7E200BG」，其SOA範圍達70A以上（條件：脈衝寬度=1ms、VDS=12V時），與傳統HSOP8封裝產品相比，在相同條件下SOA範圍提高了一倍，以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實現了業界頂級SOA範圍。

新產品已經暫以每月100萬個的規模投入量產（樣品價格：710日圓/個，未稅）。前段製程的生產據點為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），後段製程的生產據點為OSAT（泰國），並已開始透過電商平台銷售。

ROHM計畫在2025年內逐步實現量產可支援AI伺服器熱插拔控制器電路應用的功率MOSFET。今後ROHM將繼續擴大產品陣容，為應用的高效運行和高可靠性貢獻力量。