Orbray於SEMICON Taiwan 2026展示氧化鎵基板與晶錠 拓展高功率半導體應用

Orbray將於SEMICON Taiwan 2026展示氧化鎵基板與晶錠，拓展次世代功率半導體應用。Orbray

Orbray株式會社將於2026年9月2日至4日參加SEMICON Taiwan 2026，於精密寶石展位N0166展示氧化鎵（Ga₂O₃）基板與晶錠。

氧化鎵是一種備受矚目的次世代功率半導體材料，具有極高的崩潰電場強度以及約4.5~5.3 eV的寬能隙，材料特性優於傳統矽（Si），並在部分關鍵效能上展現超越碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）的潛力。隨著電動車（EV）、再生能源及電力基礎設施持續朝節能與高效率方向發展，氧化鎵作為新一代功率元件材料，目前已成為全球積極投入研發的重要領域。

Orbray將多年累積的「藍寶石單晶溶液成長技術」與「高精度研磨加工技術」應用於氧化鎵產品，建立從晶體成長至研磨加工皆於自有工廠完成的一貫化生產體制。

本次展示及銷售的氧化鎵基板採用晶體結構穩定的β型（β-Ga₂O₃）。產品規格為（標準規格）(1)晶體結構：β型（β-Ga₂O₃）(2)基板尺寸：5 mm × 5 mm（厚度0.5 mm）(3)晶面取向：（010）面(4)研磨面：單面研磨(5)OFF角、摻雜劑及其他晶面取向等規格，可依客戶需求進行客製化加工。

誠摯邀請功率半導體、材料及相關產業先進蒞臨交流，共同探索氧化鎵於次世代功率元件領域的更多可能性。同時，也歡迎蒞臨Orbray鑽石基板展位T9124，進一步瞭解Orbray在次世代半導體材料、熱管理、光通訊零組件及高精度光學技術領域的最新發展。