三星醞釀AI半導體絕地反攻 1c DRAM良率傳突破50%
- 范維君／綜合報導
正值三星電子（Samsung Electronics）在高頻寬記憶體（HBM）市場面臨挑戰之際，其用於第六代HBM（HBM4）的10奈米級第六代1c DRAM，製程良率傳出突破50%好消息，預計後續良率將快速爬升，助力三星在AI半導體市場的絕地大反攻。
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