日商拓樸論理亮相大容量快取記憶體TL-RAM及熱成像技術TL-SENSING

日商拓樸論理為一家新創企業，致力於運用2016年榮獲諾貝爾物理學獎的新型材料「拓撲物質」之特性，開發能解決長期被忽視之產業課題的創新技術，並推動其社會實用化。

日前在「COMPUTEX/InnoVEX TAIPEI」展會中，我們以ICTGC第四期獲獎團隊成員身分參展，旨在拓展半導體新創企業的應用範圍；為擴大在台灣市場的客戶群與人脈網路，我們展示了現有技術無法實現的大容量快取記憶體TL-RAM，以及創新的熱成像技術TL-SENSING。

TL-RAM是一種能解決邊緣AI裝置、AI訓練用處理器及SoC記憶體瓶頸的大容量快取記憶體。相較於現有技術，其快取記憶體容量可擴大至5倍以上，能大幅提升處理器的運算能力。由於與傳統嵌入式MRAM的製造製程完全相容，因此也能利用現有的邏輯處理器製造設備進行生產。我們期望未來能將TL-RAM應用於 GPU、超級電腦專用處理器，以及創新的SoC處理器中。

TL-SENSING是一項高速熱感測技術，可實現鋰離子電池熱失控的早期偵測、處理器及其他電子設備的散熱特性測量，以及內部溫度可視化。相較於傳統溫度感測器，它能捕捉更細微的散熱變化；透過薄膜式感測器結構，可實現低成本量產，並具備適合嵌入式應用的成本結構。預期應用領域包括電池與功率半導體的故障預測、熱舒適性控制，以及化學感測器與氣體感測器等。

TL-SENSING目前正以2027年至2028年間的實用化為目標，主要針對在熱管理與可視化方面面臨挑戰的產業，例如電子元件製造商、製造設備製造商及汽車相關製造商等，正與多家企業進行實證實驗。

我們已開始與以台灣為首的各國企業及研究機構進行具體的共同研究與討論，期望藉此加速開創新市場並推動技術的社會實用化，為實現永續社會貢獻心力。

若您對本公司的技術感興趣，歡迎隨時與我們聯繫。我們將竭盡所能，作為開創新產業的夥伴，為您提供最大程度的支援。