企業級SSD搭載缺口拉抬　傳DDR4 8Gb第3季合約價漲幅飆破5成

記憶體價格第3季上漲幅度顯著，隨著eSSD拉動DDR4需求，傳單季漲幅上看5成。李建樑攝（資料照）

記憶體2026年第3季合約價陸續談定，外界本估計受到先前基期已高，第3季報價漲幅可望趨緩，但供應鏈業者透露，DRAM或Flash漲價顯著，且大幅超越原先預期。其中，AI帶動企業級SSD（eSSD）需求暴增，導致DDR4 8Gb DRAM供需缺口恐延續長達兩年。

在缺口難以填補下，傳出台系記憶體廠第3季DDR4 8Gb合約價，漲幅上看5成。

供應鏈人士指出，記憶體價格從2025年下半陸續起漲，合約價一路飆升至第3季，市場普遍認為價格漲勢將略停歇，較保守者認為漲幅區間收斂至10~20%。但目前看來，對不同顆粒與容量的需求結構出現分化，主要依照其終端應用領域的消長變化而定，整體報價上漲的趨勢並未改變。

以DDR4為例，雖DDR4 16Gb現貨價格居高不下，甚至比同規格DDR5更貴已成常態，不過實際端應用以PC為主，隨PC需求趨弱，DDR4 16Gb合約價調漲空間較受壓抑。

DDR4 8Gb第3季合約價則持續強勢拉高，受到產能嚴重不足，部分業者傳出，接獲台系記憶體廠告知，在第3季DDR4 8Gb將較第2季大漲5成，突破原本市場預期的價格天花板。如今台廠DDR4報價更高於三星電子（Samsung Electronics）同規格產品。

業界指出，企業級SSD為了處理高隨機讀寫、降低延遲，必須配置獨立DRAM晶片，主流規格以每1TB的NAND Flash、搭配1GB的DRAM為基準。但隨AI推論與大型資料中心全面轉向高容量SSD規格，導致企業級SSD朝16TB ~30TB或更大容量邁進。

三大國際原廠已相繼淡出DDR4生產，三星僅保留給少數長期合作客戶，而美光（Micron）近期在美國維吉尼亞州馬納薩斯（Manassas）廠啟動1α製程的DDR4與LPDDR4量產，主係為確保車用、國防、航太、醫療等長生命週期市場的穩定供應。

因此相較於AI推論帶動企業級SSD需求爆量成長，以市場總需求進行對照，目前南亞科與華邦電提供的DDR4產能，將遠低於實際市場需求，業界認為，此供需缺口恐將延續2年。

除了DDR4 8Gb維持強勁成長，DDR3合約價延續向上成長，主係DDR3 4Gb與DDR4 4Gb顆粒的應用具有共通性，特別在網通與TV領域有高度重疊。

其中，網通需求在下半年訂單能見度仍相對樂觀，且受產品規格限制，對DDR3需求續熱。TV應用曾一度轉向DDR4 8Gb，但隨DDR4價格續漲，許多大客戶又退回至DDR3 4Gb，DDR4 4Gb價格在下半年延續上漲，也帶動DDR3 4Gb價格獲得支撐。

近期華邦電、南亞科也陸續將現有產能轉移至DDR4作為主力產品，使得DDR3產出供應明顯減少，包括工業、物聯網與網通設備等應用廠商，也選擇轉向採購DDR3，甚或更低階DDR2的記憶體產品，不僅促使晶豪科、鈺創等受惠，也帶動舊世代記憶體需求與價格跳增。

以7月初現貨價格來看，DDR34Gb（512Mx8）顆粒的平均報價達到12.75美元，而DDR5 16Gb（2Gx8）的平均價格約為47.07美元，但若以每Gb單位價格來看，DDR3 4Gb的每Gb單位價格約為3.19美元，甚至高於DDR5 16Gb 的每單位價格2.94美元，反映出在物以稀為貴的情況下，老舊世代在每單位的位元成本，反而超越主流的DDR5產品。

相關供應鏈亦表示，不僅DRAM出現合約價長尾效應，SLC NAND從2026年初以來，半年漲幅超過倍數成長，而MLC NAND也成為炙手可熱的稀缺資源。業界預期，隨著市場普遍上漲趨勢，2026年下半在SLC以及MLC NAND，仍將存在價格上揚空間。

從南亞科、華邦電、旺宏6月營收觀察，其單月營收漲幅幾乎實際反映出合約價漲幅。由於各家目前產能供應已滿載，短期內難有新增產能貢獻，雖然3家業者對於逐月或逐季議價的比重各有不同，使得營收漲幅節奏各有落差，但在記憶體供需嚴峻下，賣方主導推動合約報價上揚，並呈現出記憶體業者在調配產品比重與客戶分配的經營策略。

責任編輯：何致中