Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 提升開關電源設計能效和可靠性

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay Semiconductors器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發布的新一代SiC二極體包括5 A至40 A器件，採用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由於採用MPS結構 — 利用激光退火背面減薄技術 — 二極體電容電荷低至28 nC，正向壓降減小為1.35 V。此外，器件25˚C下典型反向漏電流僅為2.5 µA，因此降低了導通損失，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極體不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。

二極體典型應用包括FBPS和LLC轉換器AC/DC功率因數校正（PFC）和DC/DC超高频輸出整流，適用於光伏逆變器、儲能系統、工業驅動器和工具、數據中心等。這些嚴苛的應用環境中，器件工作溫度可達+175°C，正向額定浪涌電流保護能力高達260 A。此外，D2PAK 2L封裝二極體採用高CTI ³ 600的塑封料，確保電壓升高時優異的絕緣性能。

器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2,000次熱循環溫度循環測試。新型SiC二極體現已提供樣品並已實現量產，供貨周期為13周。有關Vishay的詳細產品訊息，敬請瀏覽Vishay官網。