光鼎電子第7代IGBT新產品—電源系統提高效能與穩定性的絕佳方案

光鼎電子的IGBT產品組合。包含6款新產品全部採用第7代微溝槽晶片設計與製造技術。PCA0N065GH7S為客製化產品，目前尚未供應大眾市場。光鼎電子

繼2024年第2季成功推出第7代微溝槽技術的分立式IGBT新產品後，光鼎電子（PARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD.）於近日宣布將於2025年第1季針對中高功率的伺服馬達驅動控制、UPS不斷電系統、太陽能逆變器、工業感應加熱器、儲能與智慧併網系統等相關應用再推出6款延續第7代微溝槽（Micro-Pattern Trench；MPT）IGBT晶片先進技術設計及製造的新產品。

包含4款TO247-3Plus封裝的高效能離散式（Discrete）產品及2款與英飛凌EconoDUALTM3（ED3）封裝相容的半橋電路結構高功率模組（Power Module），為應用市場提供更高效能與穩定性的絕佳解決方案。

光鼎電子這次推出的4款TO247-3Plus封裝的產品其散熱金屬面積比標準TO247-3封裝增加大約18%，能有效降低晶片熱阻及工作溫度，從而提高了電源系統的穩定性、壽命，同時降低冷卻系統成本。

值得注意的是，1200V/60A規格的新解決方案產品也即將提供標準的TO247-3封裝版本（新型號暫定為PC60N120AH7S），讓客戶設計電源系統時有更多的選擇。

針對較高功率的應用，光鼎電子這次推出兩款額定規格為1200V/600A和1200V/450A的高效能IGBT模組產品。兩款型號均採用標準半橋結構，內建負溫度係數電阻能為客戶提供過溫度保護功能。而其採用的與英飛凌產品EconoDUALM3（ED3）相容的扁平封裝，能有效提高客戶電源系統的功率密度。

光鼎電子功率半導體事業部業務及行銷副總經理洪敏清（Eric Hung）表示，無論是分立式或功率模組IGBT產品，光鼎電子都致力於採用先進的第7代MPT晶片技術進行設計與製造。除了提供更高的工作效能外，光鼎的第7代IGBT技術還實現了極高的晶片生產良率，彰顯了光鼎的IGBT產品成熟、可靠和穩定的品質- 這些關鍵優勢使光鼎IGBT產品在競爭激烈的行業中脫穎而出。

此外，這些IGBT新產品還具有多項優勢，包括高達175°C的最高工作結溫以及高溫條件下優異的短路電流能力和過載測試性能。這些特性確保客戶的電力系統即使在滿載或惡劣的環境條件下也能保持電源系統高穩定性和延長使用壽命。此外，更寬的適用開關頻率範圍可實現零件整合，能有效降低採購成本。

光鼎電子董事長馬景鵬認為，有鑑於IGBT是各種電力電子系統的關鍵元件之一，IGBT的效能與品質穩定除了直接影響整體系統性能，在物料管理及系統失效帶來的隱性成本方面也是至關重要的關鍵因素。

光鼎電子是台灣證券交易所上市公司，自1987年成立以來一直是LED設計和製造領域的全球領導者之一，其中持續產品創新與自有產線的品質嚴格管控等方面的核心專業能力是保持競爭優勢的關鍵。

近年更積極發揮競爭優勢拓展功率半導體新業務領域，為業界少數擁有先進的第7代IGBT功率電晶體產品線及封裝測試廠的優勢品牌，在眾多市場品牌中，光鼎IGBT產品性能優異，能為客戶的電源系統提供更高效能與更高穩定度等重要價值。

光鼎電子擁有ISO 14001, ISO 9001, IATF 16949等品管認證，功率半導體產品均經過JEDEC的六大項可靠度測試，從進料檢驗到產品出貨，關鍵過程都通過SPC的控制，產品的穩定性和一致性經實際驗證後市場接受度相當高，已經獲得大中華區幾家策略客戶的認可並持續導入各種應用，例如工業伺服馬達驅動控制、不斷電系統、工業太陽能逆變器（PV inverter）及儲能電源管理設備等，未來也會導入電動車直流快充的充電樁應用。